GaN次接触层对SiC光导开关欧姆接触的改进研究

摘要：

大功率SiC光导开关存在接触电阻过高、接触退化的问题.为此,在接触金属与sic基片之间增加一层n+-GaN次接触层,光导开关的导通电阻随之下降两个数量级,而光电流效率增加两个数量级.

关键词：SiC光导开关、GaN、欧姆接触

分类号：TM836(高电压技术)

在线出版日期：2013-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：29,32