PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究

摘要：

研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。

关键词：氮化硅薄膜、透过率、PECVD

分类号：O472.31;TN305.92(半导体物理学)

在线出版日期：2013-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-15,17