HgOCuSe电子结构的密度泛函研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算研究了HgOCuSe材料的电子结构,发现费米面主要由Se 4p Cu 3d和O 2p电子组成。从键长和拉普拉斯电子密度分布分析,得出Hg-O键为离子键而Cu-Se键为共价键。

关键词：层结构硫系化合物、费米面、电子结构

分类号：O631(高分子化学（高聚物）)

在线出版日期：2012-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：16-17