金属/AlGaN/GaN横向肖特基二极管器件结构的改进

摘要：

本文采用Schrodinger方程与统计力学方程联立的方法,研究了金属/AlGaN/GaN异质结横向肖特基二极管正极电流分布不均匀的现象,提出了缓解电流集边效应的二极管结构的改进。

关键词：金属/AlGaN/GaN肖特基异质结器件、二维电子气、电流集边效应

分类号：TN31(半导体技术)

在线出版日期：2012-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：105-106