10.3969/j.issn.1674-098X.2012.11.004
单晶样品材料的生长与纳米量级光刻工艺探索
基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品的刻蚀工艺,在微米尺度上建立一套方案,给出各步骤条件参量,以期进一步应用到单晶样品的纳米尺度光刻。
单晶、纳米光刻、微米光刻、电子束直写
TN321.5(半导体技术)
2012-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
7-8
10.3969/j.issn.1674-098X.2012.11.004
单晶、纳米光刻、微米光刻、电子束直写
TN321.5(半导体技术)
2012-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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