采用AlN绝缘栅的AlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件

摘要：

本文通过射频磁控反应溅射实现高质量的AlN绝缘栅层,采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀出凹栅槽结构,将MIS结构和凹栅槽结构的优点相结合,研制成功AlGaN/GaN凹栅槽结构MIS HEMT器件,在提高器件栅控能力的同时,降低栅极漏电,提高击穿电压。器件栅长0.8μm,栅宽60μm,测得栅压为＋5V时最大饱和输出电流为832mA/mm,最大跨导达到210mS/mm,栅压为-15V时栅极反向漏电为6nA/mm。

关键词：AlGaN/GaN、凹栅槽、AlN、MISHEMT

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2012-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：6-8