SiC表面高温改性法生成石墨烯研究

摘要：

石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I（D）/I（G）≈0.04。最后总结出该工艺生长石墨烯的一些规律。

关键词：SiC、石墨烯、拉曼光谱、AFM

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2012-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：8-9