碳化硅表面高温改性法热场模拟研究

摘要：

SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。

关键词：石墨烯、热场模拟、石墨坩埚

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2012-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-16