10.3969/j.issn.1674-098X.2011.31.032
金刚石膜生长中的活性物质
在CVD法生长人造金刚石膜的过程中,活性物质是其生长的基础。通过本论文的实验证明,H.CH4是金刚石膜生长过程中的活性物质。本文并详细分析了H.CH4是如何在金刚石膜生长过程中产生金刚石的原子结构和键能,从而形成金刚石膜的。
CVD法、金刚石膜、理论分析、活性物质H·CH4
TN304.18(半导体技术)
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
50-50
10.3969/j.issn.1674-098X.2011.31.032
CVD法、金刚石膜、理论分析、活性物质H·CH4
TN304.18(半导体技术)
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
50-50
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn