基于电导法的GaN/AlGaN HEMT界面态分析

摘要：

本文通过I-V法测试得到25-200℃范围内GaN/AlGaN HEMT器件直流特性随温度的退化情况,同时通过C-V法测试了器件在25-100℃范围内电容、电导随频率、温度变化的特性。经电导法分析发现器件界面处存在高密度陷阱态进一步分析认为,高密度界面陷阱态是引起器件高温特性退化的原因。

关键词：GaN/AlGaN、HEMT、界面态、电导法、退化

分类号：TN710(基本电子电路)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：80-80