10.3969/j.issn.1674-098X.2011.17.083
SILC效应机理及其对Flash Memory的影响
随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素.本文对SILC效应的导电机制和组成成分作了简要论述,并重点研究了Flash Memory中的SILC效应.
应力感应泄漏电流、MOSFET、栅氧化层
TN386(半导体技术)
湖南科技大学博士启动基金项目E51080
2011-11-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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