砷化镓材料

摘要：

文章介绍了III-V族化合物半导体材料--砷化镓.从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施.

关键词：砷化镓、半导体材料、迁移率、能带结构、掺杂剂、载流子浓度、位错密度(EPD)、饱合漂移速度

分类号：X703(一般性问题)

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：75-77