Ag掺杂制备p型ZnO薄膜的研究

摘要：

通过Ag掺杂和碰控溅射方法生长ZnO:Ag薄膜,分析了氧气氛退火温度后薄膜的截结构和电阻率等电学性能.退火前薄膜的晶拉大小为15nm,经过600℃氧气氛熟处理后,晶拉增大到3nm左右,霍耳测试结果表明,氧气氛后ZnO:Ag薄膜转变为p型电导.薄膜对可见光的透过率大于83%,有陡峭的截止吸收限,对小于378nm的紫外光有强烈的吸收.

关键词：磁控溅射、ZnO薄膜、热处理

分类号：TQ013(一般性问题)

在线出版日期：2009-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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