硅外延工艺中HCI气相腐蚀技术研究

摘要：

主要对硅外延工艺中的IICI气相腐蚀原理以及HCI气庸对外延工艺的作用进行了分析.从HCI腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCI气腐对外延层影响的规律.

关键词：外延层、气相腐蚀、自掺杂

分类号：TQ1

在线出版日期：2009-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：254-254