10.3969/j.issn.1674-098X.2007.15.035
SNO2掺Sb薄膜导电机理
透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛.本文介绍了掺锑氧化锡(ATO)薄膜的导电机理和光电性能.掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈+4价,掺杂的Sb分别以+5和+3价形式存在.对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降.
透明导电薄膜、导电性能、梯掺杂二氧化锡薄膜、导电率
TP393(计算技术、计算机技术)
2007-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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