栅氧厚度对PROM中存储单元性能影响仿真

摘要：

　　研究了栅氧厚度对反熔丝PROM中存储单元性能的影响。通过改变仿真模型中栅氧层的厚度，研究了存储单元的击穿电阻等的性能的变化趋势。仿真结果表明，栅氧厚度减薄可有效提升存储单元的读取速度，但会降低晶体管的可靠性和使用寿命。

关键词：反熔丝、PROM、栅氧厚度

分类号：T9343

在线出版日期：2013-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：61-62,65