不同浓度硼掺杂金刚石薄膜的场发射性能的研究

摘要：

　　利用微波等离子体化学气相淀积法（MPCVD），在硅基片上合成硼掺杂金刚石薄膜。研究B2O3从1000~5000 ppm不同浓度对场发射性能影响。随硼浓度地增加，纳米金刚石(NCD)薄膜的场发射性能得到改善。且场发射性能的增强归功于更好的电导率和金刚石薄膜的纳米特性。

关键词：CVD、金刚石、硼掺杂、场发射

分类号：O484.4+2(固体物理学)

在线出版日期：2013-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18