用PLD在不同衬底上制备Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜

摘要：

用固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5Ti03靶材,采用在LaA103 (100)衬底上PLD法制备Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜的最佳条件(村底温度760℃,生长氧压5Pa,脉冲激光能量350mj,频率5Hz,不退火直接降温),利用PLD技术在LaA103 (100),SrTi03 (100),LSAT(1 00)单晶平衬底上制备了Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜.通过分析x射线衍射图谱,晶格失配度,单θ摇摆曲线半高宽,表明在三种衬底上薄膜是沿[00I]取向的近外延生长,影响薄膜生长的主要因素并不是村底与品格的失配度,如希望消除失配度对薄膜生长造成的不利影响,我们可以通过优化PLD工艺参数,这在一定程度上是有效的.

关键词：Ba0.5Sr0.5Ti03薄膜、晶格失配度、单θ摇摆曲线、PLD

分类号：TM22(电工材料)

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：143-144