N-mosfet跨导调制的器件设计

摘要：

本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小.主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变.设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器件.基于量子力学理论详细的介绍了器件的设计及理论依据.

关键词：跨导、金属场效应晶体管、GaAs/AlGaAs、异质结、迁移率

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60476043

在线出版日期：2011-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：205,201