降温速率对低压ZnO压敏电阻性能的影响

摘要：

采用低压ZnO压敏电阻配方,利用正电子湮没寿命谱(PAS)及SEM,对试样微结构进行了分析.结果表明,急冷能使低压ZnO压敏电阻的微空洞尺寸增大,缺陷浓度降低.通过分析PAS参数与电性能参数的关系,对急冷能明显降低电压梯度提出了新的解释.

关键词：正电子湮没、ZnO压敏陶瓷、空位、缺陷、急冷

所属期刊栏目：10

分类号：TN304.93(半导体技术)

在线出版日期：2007-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：55-58