太阳能硅制备过程湿法提纯SiO2的工艺优化
考察了HF质量分数、H2C2O4质量分数、HNO3质量分数、酸浸时间、粒径、液体质量与固体质量的比值(简称液固比,下同)等因素对混酸法提纯SiO2工艺过程的影响,和用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、场发射扫描电子显微镜( SEM)进行表征.结果表明,最佳工艺条件为:w(HF)=2%、w( H2C2O4)=3%、w(HNO3)=30%、酸浸时间4h、粒径100~ 120目、液固比4∶1、酸浸温度30℃.Fe、A1、Ca、P杂质的去除率分别达到99.99%、14.02%、73.27%、60.00%,经混酸法处理后SiO2中杂质总量的质量分数降至1.465×10-4.
太阳能硅、二氧化硅、湿法冶金、酸浸、提纯
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TF1(冶金技术)
2012-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
1194-1198