与Y2O3共同掺杂下Sb2O5掺杂量对SnO2陶瓷压敏电阻电性能的影响

摘要：

通过在SnO2陶瓷压敏电阻中共同掺杂Sb2O5和Y2O3(0.05％,物质的量分数),采用扫描电镜和阻抗仪研究了Sb2O5掺杂量(0,0.05％,0.10％,0.15％,物质的量分数)对SnO2压敏电阻微观形貌、电压梯度和晶粒电阻的影响.结果表明:随Sb2O5掺杂量增加,SnO2压敏电阻的晶粒尺寸和界面态密度先增大后减小,电压梯度、非线性系数和泄漏电流密度先减小后增大;Sb2O5掺杂量为0.10％时,SnO2压敏电阻的界面态密度最大,泄漏电流密度最小,晶粒电阻最小,综合电性能最好.

关键词：SnO2压敏电阻;Sb2O5含量;电压梯度;晶粒电阻

所属期刊栏目：45

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目;新疆维吾尔自治区研究生科研创新项目

在线出版日期：2021-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29