热处理对钛掺杂类金刚石薄膜场发射性能的影响

摘要：

采用多靶磁控溅射技术制备了钛掺杂类金刚石(Ti-DLC)薄膜,并在不同温度(300,350,400℃)下进行了热处理,研究了热处理温度对薄膜微观结构、成分、能带结构以及场发射性能的影响.结果表明:与热处理前的相比,300℃热处理后Ti-DLC薄膜中sp2-C团簇相对含量增大,光学带隙最小,开启场强最低,为5.43 V·μm-1,场发射性能最好;当热处理温度高于300℃时,薄膜的DLC含量减少,同时生成大量TiO2,光学带隙增加,薄膜开启场强增大,场发射性能变差;薄膜的场发射电流基本不受热处理温度的影响.

关键词：钛掺杂、类金刚石、热处理、TiO2、光学带隙、场发射性能

所属期刊栏目：45

分类号：TG156.88;TB114.2(金属学与热处理)

资助基金：科技部中-白政府间交流项目;国家自然科学基金资助项目;山西省科技重大专项项目;山西省"1331工程"工程研究中心项目;山西省应用基础研究计划青年基金项目

在线出版日期：2021-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：8-13