镁掺杂量对钐/镁共掺杂CaCu3Ti4O12薄膜电学性能的影响
采用溶胶-凝胶法在Si (100) 基底上制备Ca0.925Sm0.05Cu3-yMgyTi4O12 (y=0, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20, 物质的量分数/%, 下同) 薄膜, 研究了镁掺杂量对薄膜物相组成、微观形貌以及介电和压敏性能的影响.结果表明:不同镁掺杂量薄膜均主要由多晶CaCu3Ti4O12相以及少量SiC和CaTiO3相组成;随着镁掺杂量的增加, 薄膜的晶粒尺寸和相对介电常数增大;当镁掺杂量为0.10%时, 薄膜的致密性能最好, 在低频下的介电损耗最小;不同镁掺杂量薄膜的电流密度和电场强度均为非线性关系, 当镁掺杂量为0.10%时的非线性系数最大, 漏电流较小.
溶胶-凝胶法、CaCu3Ti4O12薄膜、介电性能、非线性、压敏性能
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TB43(工业通用技术与设备)
2019-06-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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