在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线

摘要：

以Zn(NO3)2 ·6H2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备ZnO纳米线,研究了种子层沉积温度(150,200℃)以及PEI浓度(0～9.0 mmol·L-1)、生长时间(3～12 h)和水浴温度(65～95℃)对ZnO纳米线形貌和尺寸的影响.结果表明:在试验参数下均能成功制备得到ZnO纳米线;当种子层沉积温度为200℃,生长时间为9h,水浴温度为95℃,PEI浓度为4.5 mmol·L-1时,ZnO纳米线呈规则六棱柱状生长,并垂直排列于衬底上,且长径比最大,达20.56.

关键词：ZnO纳米线、化学浴沉积法、长径比

所属期刊栏目：43

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61474030;广西教育厅中青年教师能力提升项目2019KY1384;中国科学院重点实验室开放基金资助项目15ZS06;广西科技攻关计划项目1598008-15

在线出版日期：2019-06-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：33-38