原位合成NiO催化硅粉氮化制备氮化硅

摘要：

采用化学沉淀方法在硅粉表面沉淀了 Ni(OH)2,利用其原位合成 NiO 来催化硅粉氮化制备Si3 N4粉,研究了原位合成 NiO 含量(质量分数为0~2．0％)和氮化温度对硅粉氮化的影响.结果表明：原位合成的NiO 可以促进硅粉的氮化,随着 NiO 含量的增加,硅粉的氮化率呈先增后减的变化趋势；随着氮化温度的升高,硅粉氮化率逐渐提高,当温度升高到1400℃、NiO 质量分数为1．0％时硅粉全部氮化；制备的 Si3 N4呈晶须状,直径为65~497 nm,其生长符合固-液-气-固(SLGS)生长机理.

关键词：硅粉、Si3 N4、催化氮化、NiO

所属期刊栏目：40

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金面上资助项目51272188,51472184,51472185;“973”前期研究专项基金资助项目2014CB660802;湖北省自然科学基金重点资助项目2013CFA086;湖北省科技支撑计划对外科技合作项目2013BHE002

在线出版日期：2016-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-68