磁控溅射银/铜双层膜的电性能和结合强度

摘要：

采用磁控溅射工艺在微波腔体耦合器内壁沉积了银/铜双层膜,并对该膜的电性能以及膜基结合强度等进行了研究.结果表明：采用磁控溅射法沉积的银/铜双层膜和基体的结合强度可达5．0 MPa；其中,内壁沉积有2μm银/2μm 铜双层膜的耦合器的电性能最佳,耦合度为5．75~6．20 dB,隔离度为31．02 dB,端口驻波值为24．43 dB,均达到了电镀的指标,插入损耗小于1．70 dB,优于电镀的；该工艺用银量少,无污染,可替代电镀在微波器件表面沉积功能镀层.

关键词：磁控溅射、耦合腔、双层膜、电性能、结合强度

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61204124;中央高校基本科研业务费专项基金资助项目2014QNA5002

在线出版日期：2015-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-67,105