不同纯度冶金级硅电导率随温度的变化
在不同温度下,采用自主设计的测试设备测试了不同纯度和不同厚度的冶金级硅的电导率,分析了冶金级硅的纯度对电导率的影响.结果表明:采用厚度较薄的硅片进行电导率测试能更准确反映出电导率随温度的变化关系;当温度达到650℃以上时,本征激发作用明显,冶金级硅电导率开始迅速增大,并且纯度较高、金属杂质含量较少的硅电导率随温度的升高增幅较大;最后,根据测量出的电导率进行了数值拟合,得到了冶金级硅电导率随温度变化的数学表达式.
冶金级硅、电导率、温度变化、金属杂质
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TG146.1(金属学与热处理)
国家自然科学基金资助项目51066003,U1137601;国家科技支撑计划项目2011BAE03B01
2014-01-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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