用催化化学气相沉积工艺在C/C—SiC复合材料表面原位制备SiC晶须

摘要：

以甲基三氯硅烷为原料，FeCl3或Ni（NO3）2为催化剂，采用催化化学气相沉积工艺，在C／C-SiC复合材料表面原位制备出SiC晶须；研究了温度、催化剂对制备SiC晶须的影响。结果表明：1050℃为制备SiC晶须的最佳温度；FeCl3催化生长的SiC晶须较细，直径为1．5～1．8μm，晶须表面光滑，直晶率高；Ni（N03）2催化制备的SiC晶须较粗，直径为2．0～2．5μm，晶须表面粗糙，晶须交互生长，弯晶率高；晶须生长机理为气液固（VLS）机理。

关键词：碳化硅晶须、催化化学气相沉积、催化剂

所属期刊栏目：35

分类号：TB383(工程材料学)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：98-102