SnO2纳米线的制备及其光致发光特性

摘要：

采用锡单质直接氧化法在850℃制备了SnO2纳米线，采用X射线衍射仪和X射线能谱仪对SnO2纳米线进行了物相分析，用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其形貌进行了观察，并在荧光光谱仪上研究了其光致发光特性。结果表明：制备的SnO2纳米线具有正方金红石结构，其尺寸均匀一致，长度为数十到数百微米，有的甚至达到数毫米，直径约为100nm；其生长机理由气一固（VS）生长机制控制；室温下，其光致发光谱在395nm（3．14eV）处有一强峰，在310nm（4eV）处有一弱峰，发光主要是由单离子氧空位引起。

关键词：SnO2、纳米线、气一固生长机制、光致发光

所属期刊栏目：35

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目JUSRP11115

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：95-97