以聚碳硅烷包覆B4C为原料温压-烧结原位制备SiC/B4C复相陶瓷

摘要：

以聚碳硅烷(PCS)包覆B4C粉为原料，分别在300℃、50 MPa下温压成型和800MPa下冷等静压成型，而后将压坯置于氩气气氛保护下在1 200℃保温2 h，再在1 800～2 000℃下真空烧结3 h，原位反应制备出SiC/B4C复相陶瓷；研究了它的相对密度、物相组成和显微结构。结果表明：温压工艺比冷等静压工艺能得到更高密度的复相陶瓷；合15％SoC的温压压坯在烧结3 h后得到复相陶瓷的相对密度大于93％；复相陶瓷由B4C和SiC相组成，SiC相均匀分布在B4C颗粒界面上。

关键词：温压、SiC/B4C复相陶瓷、聚碳硅烷、原位反应

所属期刊栏目：35

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：上海市自然科学基金09ZR1420700;上海市重点学科建设资助项目J51402

在线出版日期：2011-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：11-13,18