沉积温度对磁控溅射法制备La0.5 Sr0.5 CoO3薄膜微结构和导电性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了La0.5 Sr0.5 CoO3薄膜,研究了沉积温度对La0.5Sr0.5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响.结果表明:沉积温度低于400℃时,薄膜以非晶状态存在,未发生外延生长,沉积温度为550℃和650℃时,薄膜在基片上实现了外延生长;随着沉积温度的升高薄膜表面粗糙度呈现规律性的变化;薄膜的电阻率随沉积温度的升高单调下降,650℃沉积薄膜的电阻率最小为1.63μQΩ·cm.

关键词：La0.5Sr0.5CoO3薄膜、射频磁控溅射、外延生长

所属期刊栏目：33

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2007CB616910;国家自然科学基金50572021;60876055;河北省自然科学基金E2008000620;教育部资助项目207013

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21