反应烧结制备Ti3SiC2材料

摘要：

分别以粉末钛、硅、石墨和钛、碳化硅、石墨为原料,采用反应烧结工艺制备Ti3SiC2材料.结果表明:当以钛、硅、石墨单质粉料为原料时,在1200~1400℃温度范围内能够合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料,且其纯度随着硅含量的增加而提高;当原料摩尔比为3:1.3:2和3:1.4:2时,该材料中只有Ti3SiC2相而无其他相存在;而以钛、碳化硅、石墨粉末为原料时,在1200~1400℃温度范围内很难合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料.

关键词：Ti3SiC2、反应烧结、显微结构

所属期刊栏目：32

分类号：TF124.5(冶金技术)

资助基金：陕西省自然科学基金资助项目2007E104

在线出版日期：2008-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-40,44