硅/碳化硅在高温热处理过程中的组织变化

摘要：

分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750和1850℃对硅/碳化硅进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪研究了硅/碳化硅的组织变化.结果表明:氮气氛下,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终以完全"吞食"所包裹的β-SiC来完成相转变;在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,两者同时作用使得比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度.转化驱动力随温度的上升而提高.1 850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β相存在,而真空1 750℃处理后就能得到单一α相的多孔材料.

关键词：硅/碳化硅、热处理、显微组织

所属期刊栏目：30

分类号：TB332.2;TG151.1(工程材料学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA333010

在线出版日期：2006-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：17-20,38