10.3969/j.issn.1000-3738.2006.05.020
V2O5掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷性能的影响
采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1050℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.50×10-6℃-1.
V2O5、介质陶瓷、烧结温度、介电性能
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TH145
国家留学回国人员科研项目2003-14;河南省高校创新人才培养项目2001-213
2006-06-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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