10.3969/j.issn.1000-3738.2005.12.018
铜包覆纳米碳化硅复合粉体的制备及表征
利用非均匀形核法制备了铜包覆纳米SiC复合粉体,通过XRD、SEM、EDS、TEM等手段对复合粉体进行了微观测试和表征.结果表明:纳米SiC颗粒表面的铜包覆层均匀、连续,铜晶粒平均粒径约38 nm,部分氧化成Cu2O,氧化率为11.54%.用质量分数为0.5%的PEG-20000作为分散剂,能有效地分散纳米SiC颗粒,并阻止包覆在纳米SiC颗粒表面的铜晶粒过度长大.
铜粉、碳化硅、纳米复合粉体
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TB332(工程材料学)
武器装备预研基金51457070103JB3503
2006-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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