10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.008
外加电场条件下制备定向排列的硅纳米线
在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究.结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列.同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米线.
硅纳米线、定向排列、外加电场
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TN383(半导体技术)
教育部优秀青年教师资助计划;陕西省自然科学基金2001C56
2005-05-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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