10.3969/j.issn.1000-3738.2004.01.007
高能量密度脉冲等离子体同轴枪制备Ti(C,N)薄膜研究
用高能量密度脉冲等离子体同轴枪分别在硬质合金和氮化硅陶瓷刀具基体上沉积了Ti(C,N)薄膜,研究了各种因素对薄膜相转化的影响,通过XRD分析,最后得到合适的Ti(C,N)薄膜沉积工艺条件是:枪压3.5kV,同轴枪与试样间距30~40mm,氮气进气压力0.2MPa,电磁阀电压1.5kV,脉冲等离子轰击次数5次以上.
高能量密度脉冲等离子体、碳氮化钛薄膜、刀具、相转化
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O484.4(固体物理学)
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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