碳化硅发热元件失效分析

摘要：

对国产炉用碳化硅发热元件在1 600℃空气中的高温失效行为进行了研究.结果表明:在900℃以下随温度升高,碳化硅发热元件电阻缓慢减小,超过900℃后随温度升高电阻增加较快;1 600℃时随保温时间的增加,碳化硅发热元件的电阻缓慢增加,250min后,电阻急剧增加,直至发热元件断裂.失效表面分析表明,碳化硅发热元件表面以生成气相产物为主,断口处以生成玻璃相为主.

关键词：碳化硅、发热元件、失效分析

所属期刊栏目：26

分类号：TQ174.75

资助基金：国家自然科学基金59772013

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-39