期刊专题

10.3969/j.issn.1000-3738.2002.01.004

CVD金刚石薄膜的掺硼研究

引用
采用固体三氧化二硼,在单晶硅(100)衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究.结果表明,硼确实已掺入金刚石膜中;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极,测试了在不同温度下电流随温度的变化.

CVD金刚石薄膜、掺杂、电学性能

26

TG156.8(金属学与热处理)

国家自然科学基金50082005

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

16-18,28

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机械工程材料

1000-3738

31-1336/TB

26

2002,26(1)

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