10.3969/j.issn.1000-3738.2001.09.004
Ag、Ta元素对MOS2抗氧化性影响的研究
用离子束辅助沉积方法(IBAD)制备MoS2-Ag和MoS2-Ta复合膜以及MoS2膜.用XPS分别检测在相对湿度100%室温环境下存放45天和室温去离子水浸泡158h以及在430℃加热1h后的三种膜中Mo、S元素的电子结构.数据表明:掺有Ag、Ta元素的MoS2复合膜抗氧化特性远优于同种工艺条件下制备的纯MoS2膜.
离子束辅助沉积、MoS2-Ag复合膜、MoS2-Ta复合膜、氧化
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TG174.444(金属学与热处理)
核工业科学基金HJ9601
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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