美研制出新型“4维”晶体管
据物理学家组织网报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”（栅极）的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。<br> 平面结构的硅芯片晶体管一直沿用了半个多世纪，直至去年英特尔公司研发出垂直3维结构的晶体管，才宣告迈入了3维立体时代。但硅的电子迁移率存在局限性，普渡大学电气和计算机工程教授叶培德（音译）表示，若想进一步改进3维晶体管，很可能需要用其他材料来取代硅，其中最有前途的包括半导体材料砷化铟镓。
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2013-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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