10.3321/j.issn:0412-1961.2002.02.002
ZrV2体系的第一原理研究
基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之,填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差;吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变;随含H量增大,晶格常数增大;当H/ZrV2小于2.0时,ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力H在ZrV2合金中的固溶度小,p-C坪台长,室温平衡压低,有利于贮存氢同位素.
ZrV2合金、贮氢、第一原理
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TG139(金属学与热处理)
中国物理研究院行业重点基金1997Z0303
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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119-122