靶材制备工艺与配比对ZrW2O8薄膜制备的影响

摘要：

分别采用钨酸锆靶(ZrW2O8)和氧化锆(ZrO2)与氧化钨(WO3)的复合靶,在磁控溅射条件下制备钨酸锆(ZrW2O8)薄膜,研究了靶材制备工艺、复合靶成分配比以及热处理温度对薄膜成分的影响,并对薄膜生长方式进行了初步探讨.结果表明:ZrW2O8靶材制备的薄膜在700 ℃处理后薄膜中ZrW2O8纯度较高,相同配比下,复合靶制备的薄膜经750 ℃处理后薄膜中ZrW2O8含量最高;以n(ZrO2)∶n(WO3)为1∶2.8的复合靶材制备的薄膜经热处理后,结晶度优于n(ZrO2)∶n(WO3)为1∶2获得的薄膜,并且ZrW2O8最佳含量的热处理温度较低;热处理时薄膜的生长机制为岛状生长方式;ZrW2O8薄膜在(211)和(220)晶面上的热膨胀系数均为负值.

关键词：ZrW2O8薄膜、制备工艺、成分配比、热处理温度、生长机制、热膨胀系数

所属期刊栏目：28

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金50372027;江苏省高技术研究发展计划项目BG2004026;江苏省教育厅科研项目KJD430042

在线出版日期：2007-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：220-223