ZrW2O8薄膜的物相转变与负热膨胀系数

摘要：

以高纯ZrO2和WO3复合氧化物为靶材,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备ZrW2O8薄膜.对不同热处理温度后的薄膜进行XRD分析,结果表明,在650 ℃下薄膜为无定形,ZrW2O8晶化起始温度为650 ℃,当热处理温度高于1 100 ℃时,薄膜主要由ZrO2相组成.进一步采用高温XRD分析薄膜物相,发现在720 ℃时,能获得较纯的ZrW2O8薄膜.根据ZrW2O8晶面(2 1 1)间距随温度变化的结果,计算所制备的薄膜态ZrW2O8的热膨胀系数为-2.54×10-5/℃.SEM分析结果显示在ZrW2O8相所存在的温度范围内,薄膜非常致密而无明显孔洞.

关键词：薄膜、磁控溅射、钨酸锆、热膨胀系数

所属期刊栏目：28

分类号：O484.5;TB43(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50372027;江苏省属高校自然科学重大基础研究项目06KJA43010;江苏省重点实验室基金;江苏大学校科研和教改项目06JDG067

在线出版日期：2007-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：135-137,179