镍诱导纳米晶硅薄膜的生长

摘要：

采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度.对试验结果进行热力学分析后,认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长.

关键词：纳米晶硅、金属镍诱导、薄膜、光致发光、磁控溅射、分相

所属期刊栏目：28

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金50571050

在线出版日期：2007-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：123-126