期刊专题

10.3724/SP.J.1016.2009.01147

基于缺陷均匀分布的互连线间耦合电容分析

引用
互连线的寄生效应是制约深亚微米VLSI电路实现高速、高密度的关键因素.文中分析了集成电路制造过程中的工艺缺陷对互连线间寄生电容的影响,给出了考虑缺陷等因素的线间寄生电容模型.模拟结果表明,导电冗余物缺陷明显增加了线间寄生电容,从而对电路的可靠性有较大影响.

缺陷、延迟、互连线、寄生电容、耦合电容

32

TP302(计算技术、计算机技术)

陕西省自然科学基础研究计划项目基金SJ08-ZT13

2009-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1147-1151

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计算机学报

0254-4164

11-1826/TP

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2009,32(6)

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