新型RHBD抗多节点翻转锁存器设计

摘要：

在纳米数字锁存器中,多节点翻转(multiple-node upset,MNU)正持续增加.虽然现有基于互连单元的抗辐射加固设计(radiation hardening by design,RHBD)的锁存器可以恢复所有MNU,但是需要更多的敏感节点和晶体管.为了在获得高可靠性的同时降低硬件开销,提出利用辐射翻转机制进行加固的方法.首先,通过使用屏蔽晶体管减少敏感节点,进而降低使用的晶体管数;然后,将2个单元内的上拉晶体管进行交叉互连,从而构造出一个可抗MNU翻转的RHBD锁存器.在65 nm工艺下,与现有基于互连技术的RHBD锁存器相比,提出的RHBD锁存器可平均减少12.82％的面积,319.22％的延迟和10.66％的功耗.

关键词：纳米集成电路、抗辐射加固设计、锁存器、多节点翻转

所属期刊栏目：33

分类号：TP391(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61604133

在线出版日期：2021-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：963-973