金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析

摘要：

当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22 nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.

关键词：纳米NMOS器件、功函数变异、模拟/射频性能、非正态统计分布

所属期刊栏目：30

分类号：TP386(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61571171, 61331006, 61302009, 61771076;浙江省自然科学基金LY18F04005

在线出版日期：2018-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2159-2163