SoC中的伪双口RAM优化设计方法及应用

摘要：

针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法.该方法将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,并在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,以保持对外接口不变.将文中方法应用于一款多核SoC芯片,该芯片经TSMC 28nm HPM工艺成功流片,die size为10.7mm×11.9mm,功耗为17.2W.测试结果表明,优化后的RAM面积减少了24.4％,功耗降低了39％.

关键词：伪双口RAM、单口RAM、功耗优化、面积优化、接口转换逻辑

所属期刊栏目：29

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61376099,6143000024;陕西省教育厅专项基金项目16JK2138

在线出版日期：2017-05-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：372-376